日前，高通推出了下一代旗艦移動(dòng)處理器驍龍835，和之前傳聞一樣，命名跳過了驍龍830，原因可能是考慮到了營銷方面的需要。

　　驍龍835最大的一個(gè)特點(diǎn)是采用了三星10nm FinFET制造工藝，去年發(fā)布的驍龍820則是采用三星14nm FinFET工藝。三星是業(yè)內(nèi)最早推出14nm制程芯片的半導(dǎo)體公司，大幅領(lǐng)先臺(tái)積電等競爭對手，而這次向10nm跨進(jìn)也實(shí)屬必然。

　　三星10nm制程芯片于今年10月份開始量產(chǎn)，相對14nm工藝，其將在縮小30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)性能27%的提升以及40%的功耗降低。換句話說，全新的10nm工藝將能夠在提升手機(jī)性能的同時(shí)，進(jìn)一步提升續(xù)航能力。

　　另外，驍龍835還帶來了Quick Charge 4.0快速充電標(biāo)準(zhǔn)，相比上一代QC 3.0標(biāo)準(zhǔn)，其充電速度提升了20%，充電效率提升了30%。

　　高通方面稱，驍龍835已經(jīng)開始生產(chǎn)，但搭載該處理器的產(chǎn)品上市還要等到明年上半年。不出意外的話，三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗艦將用上首批產(chǎn)品，只是按照慣例三星應(yīng)該還是會(huì)優(yōu)先拿到大部分新處理器。

　　值得一提的是，高通并沒有釋出該處理器的詳細(xì)規(guī)格。但根據(jù)之前曝光的信息，其或?qū)⒉捎米匝蠯ryo 200架構(gòu)的八核心設(shè)計(jì)，GPU將升級為Adreno 540，內(nèi)置X16基帶，加入LPDDR4X內(nèi)存，并且最高支持8GB運(yùn)行內(nèi)存。

　　在此之前，聯(lián)發(fā)科和華為已經(jīng)推出了他們的新旗艦產(chǎn)品。其中，聯(lián)發(fā)科Helio X30采用臺(tái)積電10nm工藝，性能相對X20/25有大幅提升。華為麒麟960則依舊采用16nm制程。另外，三星下一代Exynos 9也會(huì)用上自家10nm FinFET工藝，值得期待。

　　（封面圖來源于：chezasite）