【釘科技訊】作為橫跨多行業(yè)的巨頭，三星雖然在手機(jī)業(yè)務(wù)上遭遇了點(diǎn)挫敗，但是半導(dǎo)體方面依然給力。日前，三星官方宣布，業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM芯片開(kāi)始量產(chǎn)，基于10nm技術(shù)打造。

在技術(shù)參數(shù)上，三星這款8GB的LPDDR4內(nèi)存芯片采用了10nm工藝制造，數(shù)據(jù)傳輸速度則高達(dá)4266Mbps，比目前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快兩倍。若按照64bit位寬，每秒可傳輸34GB的數(shù)據(jù)。 

這款內(nèi)存芯片由四顆最新16Gb顆粒封裝在一起，尺寸則小于15mmx15mmx1.0mm，為滿(mǎn)足了超薄移動(dòng)設(shè)備的空間需求而生，而且還可以實(shí)現(xiàn)和UFS芯片或處理器封裝堆疊在一起，實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB相似的封裝面積(立體三圍15mm×15mm×1.0mm)和功耗。

三星方面則表示8GB LPDDR4內(nèi)存將會(huì)應(yīng)用到高性能移動(dòng)設(shè)備和超薄筆記本上，讓移動(dòng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)更流暢的虛擬機(jī)運(yùn)行、4K視頻回放等。

而最有可能首搭該內(nèi)存的，就是三星的下代旗艦S8了，目前外媒得到的消息顯示，S8所配備的驍龍830將采用三星10nm工藝，擁有八個(gè)核心。這里面包括四個(gè)Kryo架構(gòu)大核心、四個(gè)小核心，最高頻率為2.6GHz。如此一來(lái)，再搭配上自家的8GB LPDDR4 DRAM內(nèi)存，S8很有可能會(huì)上演一出驚天大翻盤(pán)。