手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的硬件發(fā)展可謂日新月異，僅幾年的時(shí)間，處理芯片已經(jīng)從單核發(fā)展到了八核，屏幕分辨率從960x540發(fā)展到了2K，運(yùn)行內(nèi)存也從1GB發(fā)展到了6GB。其實(shí)對(duì)于手機(jī)硬件狂飆猛進(jìn)的發(fā)展現(xiàn)象還是比較好理解的，畢竟我們對(duì)手機(jī)運(yùn)行速度有著較高的要求。

實(shí)際上，除CPU、GPU、運(yùn)行內(nèi)存等核心硬件會(huì)影響手機(jī)的性能外，閃存（ROM）也是影響手機(jī)處理速度的重要部件。畢竟閃存決定著手機(jī)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度，手機(jī)閃存讀寫(xiě)速度越快，手機(jī)安裝或者啟動(dòng)APP以及存放文件的速度也就越快。

手機(jī)的閃存的內(nèi)部構(gòu)造與U盤(pán)和SSD的差異不太，同樣具備了NAND（存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的MLC/TLC閃存顆粒）以及負(fù)責(zé)控制數(shù)據(jù)傳輸和閃存磨損平衡的主控IC，只是因?yàn)槭謾C(jī)內(nèi)部空間有限（寸土寸金），兩者是終被封裝到同一塊芯片內(nèi)。

然而，小到掉到地板也不好撿的手機(jī)閃存，在近幾年來(lái)也有著突飛猛進(jìn)的發(fā)展。譬如，手機(jī)閃存的eMMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格從eMMC 4.4發(fā)展到eMMC 4.5，讀取速度實(shí)現(xiàn)翻番達(dá)到200MB/s。然后，很快又進(jìn)入了eMMC 5.0時(shí)代，讀寫(xiě)速度再次翻番達(dá)到400MB/s。

接著，在去年初的時(shí)候迎來(lái)最新的eMMC5.1，理論帶寬達(dá)到600MB/s。這時(shí)eMMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格已經(jīng)基本榨干，攪局者UFS 2.0便開(kāi)始亮相。

進(jìn)入U(xiǎn)FS 2.0時(shí)代，讀寫(xiě)速度提升300%

相較于eMMC的閃存，UFS 2.0的閃存采用了新的標(biāo)準(zhǔn)，其使用的是串行界面，支持全雙工運(yùn)行，能夠同時(shí)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)（eMMC是半雙工，讀寫(xiě)必須分開(kāi)執(zhí)行）。

因此，在讀寫(xiě)速度上面，UFS 2.0會(huì)領(lǐng)先eMMC一大截，譬如UFS 2.0閃存讀寫(xiě)速度最高可達(dá)到1400MB/s，是eMMC 5.0的3倍。

三星在15年初最早在Galaxy S6上使用了UFS 2.0內(nèi)存，目前，包括高通驍龍821/820、三星Exynos 8890等旗艦芯片都已經(jīng)支持UFS 2.0，UFS 2.0已經(jīng)逐步普及到各種旗艦機(jī)型上。

除了三星外，東芝和海力士也已經(jīng)能夠生產(chǎn)UFS2.0，相信UFS 2.0的全面普及將很快來(lái)臨。 

值得一提的是，UFS 2.0的閃存除了讀寫(xiě)速度有著巨大優(yōu)勢(shì)，其功耗也有著較為理想的表現(xiàn)。

同時(shí)，雖然UFS 2.0滿載時(shí)的功耗功率比eMMC的高，但其待機(jī)功耗只有eMMC的一半左右，而且UFS 2.0可以更快地完成操作而切換到待機(jī)狀態(tài)，因此其綜合功耗水平與eMMC的差不多。

UFS 2.0沒(méi)對(duì)手？蘋(píng)果還跑在前頭

實(shí)際上，UFS 2.0目前并非沒(méi)有對(duì)手，而其強(qiáng)敵就是蘋(píng)果。

蘋(píng)果使用的移動(dòng)閃存方案借鑒了MacBook固態(tài)存儲(chǔ)的方案，非常前瞻性地引入了NVMe協(xié)議，而且支持TLC/SLC混合緩存加速。相較傳統(tǒng)的SCSI接口協(xié)議，NVMe協(xié)議具有高效率、低負(fù)載的特性，因此性能更高而且低延時(shí)。 

實(shí)際的讀寫(xiě)測(cè)試結(jié)果顯示，iPhone 6s Plus的內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取速度明顯比Galaxy S7的UFS 2.0閃存快，而且iPhone 6s Plus的內(nèi)存數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度是Galaxy S7的UFS 2.0閃存的2.65倍。

不過(guò)，在隨機(jī)讀寫(xiě)速度方面，iPhone 6s Plus的閃存卻被UFS 2.0扳回了一城，但整體來(lái)看，iPhone 6s Plus的閃存連續(xù)讀寫(xiě)速度還是遙遙領(lǐng)先UFS 2.0。

PS：最新的iPhone 7使用的依然是NVMe存儲(chǔ)，性能相比于iPhone 6s沒(méi)有太大變化，只有一些正常波動(dòng)，整體水平依然遠(yuǎn)勝安卓陣營(yíng)。

不急，UFS 2.1才是大殺器！

盡管目前UFS 2.0的閃存被蘋(píng)果壓制著，但其還有很大的提升空間。實(shí)際上，UFS 2.0共有兩個(gè)版本，其中一個(gè)是HS-G2，也就是目前的UFS 2.0。

然而，另個(gè)一個(gè)版本則為HS-G3，可以稱為UFS 2.1，其數(shù)據(jù)讀取速度將飆至1.5G/s，也就是目前UFS 2.0的兩倍。

由于UFS 2.1具有更快的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度，相信其很快就會(huì)代替UFS 2.0 ，成為主流的閃存方案。如果，UFS 2.1得以普及，我們手機(jī)運(yùn)行速度以及文件存放速度將會(huì)有明顯的提升，而且留給開(kāi)發(fā)者的開(kāi)發(fā)空間將更大。因此，UFS 2.1技術(shù)的商用是目前行業(yè)關(guān)注的集點(diǎn)。 

據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年內(nèi)投產(chǎn)UFS 2.1閃存，而且也有可能是首家采用該閃存的廠商。此外，還有消息稱華為計(jì)劃在今年內(nèi)發(fā)布的麒麟960處理器也將支持UFS 2.1，而且新機(jī)也有可能率先使用UFS 2.1的閃存。

實(shí)際上，這方面華為、三星都有希望成為第一個(gè)。究竟是誰(shuí)呢？讓我們拭目以待。