【釘科技訊】今年蘋(píng)果拋棄三星，轉(zhuǎn)而全部使用臺(tái)積電的芯片，一方面跟三星的A9芯片在去年不太給力的表現(xiàn)有關(guān)系，另一方面也說(shuō)明了臺(tái)積電確實(shí)在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)嵙π酆?。而最近披露的臺(tái)積電線路圖更是表面了臺(tái)積電在未來(lái)幾年可能會(huì)大有作為。

據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電近日在一次內(nèi)部會(huì)議上重新梳理了自家路線圖，10nm將在年底前進(jìn)入量產(chǎn)，7nm最早在明年4月進(jìn)行試產(chǎn)。7nm的晶體管密度將提升163%.有業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，在1V電壓下，CPU的時(shí)鐘頻率就能達(dá)到3.8GHz。而目前半導(dǎo)體工藝最為先進(jìn)的Intel，也無(wú)法做到這一點(diǎn)。其10nm的處理器Cannon Lake將于明年下半年發(fā)布，而第一款7nm據(jù)說(shuō)要等到2022年。雖然Intel每代相同的制程工藝在核心指標(biāo)上要領(lǐng)先臺(tái)積電、三星，但時(shí)間節(jié)點(diǎn)上落后這么多，對(duì)手也有了足夠的時(shí)間改進(jìn)優(yōu)化。

據(jù)悉，在10nm制程下核心面積將會(huì)比目前的16nm FinFET Plus縮小50%，性能提升50%，能耗減少40%。而7nm方面，其晶體管密度將會(huì)提升163%。

如此一來(lái)，臺(tái)積電的盟友蘋(píng)果、NVIDIA等等，也都會(huì)安心被綁在這艘大船上，因?yàn)槟壳八坪跽也坏奖扰_(tái)積電更可靠的戰(zhàn)友了。