【釘科技訊】此前,eMMC閃存標(biāo)準(zhǔn)占據(jù)著絕大多數(shù)的手機(jī)、平板等內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器市場,從eMMC 4.3時(shí)代發(fā)展到最新的eMMC 5.0標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)嵌式閃傳性能有了很大的提高。不過,從去年3月份UFS 2.0閃存標(biāo)準(zhǔn)公布以來,憑借超高速的讀寫,大有取代eMMC的趨勢。最新發(fā)布的旗艦機(jī)型小米5,一加3和樂視Max2等機(jī)型,均采用了UFS 2.0閃存技術(shù)。面對(duì)這一趨勢,三星首先將UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用在了內(nèi)存卡上。
據(jù)最新消息,三星領(lǐng)先業(yè)界發(fā)布了一系列不同容量版本的UFS內(nèi)存卡,雖然和microSD卡長得差不多,但無論是連續(xù)讀寫還是隨機(jī)讀寫,據(jù)三星介紹都和microSD卡不是一個(gè)數(shù)量級(jí)的。此外,由于UFS卡的金手指觸點(diǎn)和傳統(tǒng)microSD卡完全不同,因此將無法兼容。
三星表示,256GB版本的UFS內(nèi)存卡連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的速度可以達(dá)到530M/s,連續(xù)寫入數(shù)據(jù)的速度可以達(dá)到170M/s,分別是EVO+ microSD卡讀取速的5倍,寫入速度的2-3倍。同樣是三星發(fā)布的EVO+此前號(hào)稱是最快的microSD卡,宣傳的讀取速度是100M/s,寫入速度50M/s(但經(jīng)一些科技媒體實(shí)測讀取速度只有80M/s,寫入速度是20M/s)。
隨機(jī)讀寫方面,三星表示256GB版本的UFS卡將達(dá)到40,000 IOPS(每秒輸出/輸出操作次數(shù))的隨機(jī)讀取速率,這一數(shù)字是傳統(tǒng)microSD卡的20倍;35,000 IOPS的隨機(jī)寫入速率,是傳統(tǒng)卡的350倍(小編再三確認(rèn),的確是350倍)。
雖然三星宣稱很快,不過,要看到UFS卡在實(shí)際應(yīng)用場景中的具體表現(xiàn)之后才能下結(jié)論。據(jù)稱,三星將很可能在即將發(fā)布的Galaxy Note 7上支持UFS標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存卡擴(kuò)展,讓我們拭目以待吧。
(來源:雷鋒網(wǎng))
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