2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布
快科技2月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造,并且在2047年之前,三星將在韓國投資500萬億韓元,建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠,將進(jìn)行2nm制造。 據(jù)悉,2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破,它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹? 作為三星最大的競(jìng)爭對(duì)手,臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié),臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái),引入GAAFET納米片晶
2024-02-05 09:13:06
來源:快科技??

快科技2月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造,并且在2047年之前,三星將在韓國投資500萬億韓元,建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠,將進(jìn)行2nm制造。

據(jù)悉,2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破,它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹?/p>

作為三星最大的競(jìng)爭對(duì)手,臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié),臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái),引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù),在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。

業(yè)內(nèi)人士指出,三星、臺(tái)積電均具備2025年量產(chǎn)2nm工藝的實(shí)力,但是在良率以及客戶認(rèn)可度方面會(huì)有所差別。

舉例來說,此前高通驍龍8 Gen1采用的是三星4nm工藝,因功耗問題高通換成了臺(tái)積電4nm,從驍龍8+ Gen1開始,高通驍龍8系全面擁抱臺(tái)積電。

如果三星芯片良率提升,功耗不翻車的話,高通未來的驍龍8系列處理器有可能再次交由三星代工。

在這場(chǎng)2nm之戰(zhàn)中,無論是臺(tái)積電還是三星,都很難成為絕對(duì)的贏家,畢竟一枝獨(dú)秀不是春,百花齊放春滿園。

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