近期，西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信，預期未來幾季NAND芯片價格將呈現(xiàn)周期性上漲。市調(diào)機構數(shù)據(jù)顯示，存儲芯片第四季度合約價格在手機、PC和服務器三個市場中全線上漲。作為全球半導體市場“晴雨表”的存儲芯片，其價格止跌回升可能預示著新一輪市場周期的到來。

存儲產(chǎn)品三大合約市場Q4預計漲幅（數(shù)據(jù)來源：CFM閃存市場）

大廠持續(xù)減產(chǎn)初見成效

2023年第一季度，多家存儲企業(yè)都面臨著嚴重虧存的情況。三星第一季度DS部門（存儲業(yè)務所在部門）營業(yè)額為8.92萬億韓元，同比下降56%，凈虧損4.85萬億韓元。SK海力士第一季度營收為5.09萬億韓元，同比下降34%，環(huán)比下降58%，虧損了3.4萬億韓元。

為此，三星電子在上半年決定，將DRAM和NAND兩種存儲器分別減產(chǎn)20%和30%，以進一步降低庫存水位。SK海力士從2022年第四季度就開始減少部分“遺留的低利潤產(chǎn)品”的庫存，并在今年上半年表示將減少約50%的資本支出。

“在存儲市場，供給端具有相對高的議價權。而在這輪的調(diào)整周期中，幾大存儲原廠面臨著持續(xù)虧損和庫存高漲的雙重壓力，放棄爭奪市占、恢復盈利成為目前各原廠心中最優(yōu)先的策略重心。因此存儲原廠通過減產(chǎn)來重新平衡供需關系?！盋FM閃存市場分析師戴曉瑜告訴《中國電子報》記者。

五家存儲企業(yè)近期營收走勢（數(shù)據(jù)來源：各企業(yè)財報）

綜合財報數(shù)據(jù)顯示，盡管大多企業(yè)在第一季度虧損嚴重，但在第二季度已經(jīng)展現(xiàn)了虧損放緩的跡象，甚至有企業(yè)實現(xiàn)了小幅盈利。在庫存量逐漸消化之后，市場上存儲器的價格得到了不同程度的回升。

SK海力士在第三季度實現(xiàn)了DRAM業(yè)務的扭虧為盈，這也意味著減產(chǎn)行動初見成效。SK海力士表示，DRAM和NAND閃存的整體銷量增長與DRAM均價上升，是公司營收表現(xiàn)回暖的主要因素。

三星電子也在近期透露，在今年9月與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較之前合同價格上調(diào)10%-20％。

消費電子市場回暖拉動

存儲器在手機和PC端需求量的回升同樣拉動了價格上漲。在智能手機端，由于終端廠商去庫存進度較快，其需求回升趨勢較為明朗。Counterpoint表示，2023年第四季度的出貨量將同比增長3%，達到3.12億臺，尤其在中東、非洲、印度等新興市場擺脫頹勢。

手機廠商“卷”存儲容量的行為也刺激了存儲市場。從近期發(fā)布的新機來看，高端智能手機的存儲容量正在逐步擴大，更有機型達到了“24GB+1TB”的配置。不僅是高端機型，高內(nèi)存容量也逐漸向中低端滲透，消費者對于中低端機型的內(nèi)存需求同樣在提升。

部分手機廠商新品存儲性能（數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：各手機規(guī)格表）

PC端的庫存消化過程雖不及智能手機迅速，但也在逐漸改善。數(shù)據(jù)顯示，2023年前三季度全球PC的出貨量超過1.8億臺，降幅收窄，且出貨量呈現(xiàn)環(huán)比增加態(tài)勢。

“此前我們的渠道還積累了較多的庫存，而現(xiàn)在庫存已經(jīng)得到了消化?！甭?lián)想集團CEO楊元慶在11月16日的財報說明會上表示：“我們不但看到了環(huán)比增長，我估計很快會看到同比的增長。而且我們對于2024年PC市場也比較有信心，有可能恢復5%左右的增長?！?/p>

2024年被大多PC廠商視做“AI PC元年”。近日，高通、AMD、英特爾接連發(fā)布具備AI性能的處理器，加之2025年微軟的Windows 10將會停止服務，軟硬件與處理器的更新有可能拉動新一波的PC換機需求，也為存儲器——尤其是DDR5帶來一波市場增量。

12月15日凌晨英特爾公布酷睿Ultra 將用于AI PC

AI服務器市場未來可期

在手機、PC、服務器三大存儲芯片主要合約市場中，服務器市場表現(xiàn)出“兩極分化”的態(tài)勢。一方面是傳統(tǒng)服務器市場寒冬依舊，而另一方面則是AI服務器因ChatGPT等現(xiàn)象級應用的帶動而持續(xù)升溫。

根據(jù)集邦咨詢預測，2023年AI服務器的出貨量近120萬臺，占整體服務器出貨量9%，至2026年將占15%，而年增率達到38.4%，這一數(shù)據(jù)遠高于傳統(tǒng)服務器的增長。

由于應用在AI服務器的算力芯片較傳統(tǒng)服務器明顯增多，對DDR5和HBM等更高帶寬存儲器的需求也高于預期。英偉達、AMD等企業(yè)所推出的最新GPU產(chǎn)品都強調(diào)了帶寬和內(nèi)存的作用。英偉達H200相較于H100，在基礎算力性能不變的前提下將HBM3升級為HBM3E以提升存儲性能和帶寬，而AMD的MI300X則選擇使用8塊HBM3堆棧實現(xiàn)高達192GB的內(nèi)存。應用于GPU中的HMB也同樣進入白熱化的競爭階段。

英偉達H200與H100規(guī)格對比（數(shù)據(jù)來源：英偉達）

為順應這一趨勢，SK海力士決定加大對HBM、DDR5、LPDDR5等高附加值產(chǎn)品的投資，同時繼續(xù)加碼應用于HBM的TSV（硅通孔）技術。

三星電子在10月21日的活動中則透露正在研發(fā)名為Shinebolt的HBM3E，并表示將于2024年繼續(xù)擴大HBM3和HBM3E的生產(chǎn)和銷售。

三星電子將研發(fā)HBM3E

西部數(shù)據(jù)在云服務端的營收雖不亮眼，但也積極布局更高性能的存儲產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)CEO大衛(wèi)·戈科勒在財報會議上透露：“公司將開發(fā)和引進基于新技術的產(chǎn)品，并擴展到新的數(shù)據(jù)存儲市場”。

綜合來看，存儲芯片漲價是供需關系的又一次調(diào)整，然而漲幅過高、頻率過快可能會再次影響存儲市場?！皬牟糠执鎯υ瓘S逐季漲價10%-20%的動向來看，現(xiàn)在很明顯還沒有恢復到2022年中的價位，如果存儲原廠表現(xiàn)出操之過急的態(tài)度，過高的價格可能會讓需求方產(chǎn)生心理落差，從而重新評估需求端的采購量——畢竟最終市場狀況還要看需求方的意愿。”戴曉瑜解釋道。