[釘科技報道] 最近一段時間，各相關(guān)品牌紛紛研究出DDR5內(nèi)存顆粒，而近日，SK海力士公布了旗下第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片，顧名思義，其頻率高達(dá)6400MHz。

（圖為DDR4內(nèi)存）

目前市面上主流的DDR4內(nèi)存頻率大約在3000MHz左右，而海力士這款DDR5內(nèi)存芯片頻率高出一倍以上，單顆芯片容量為16Gb。

海力士官方介紹，其DDR5芯片采用了1ynm制程工藝制造，據(jù)了解這種工藝其實(shí)為第二代10nm制程工藝，其擁有4個金屬層，面積76.22平方毫米。

據(jù)了解，SK海力士此前第一代21nm工藝的DDR4內(nèi)存芯片面積同樣為76平方毫米左右，單顆8Gb容量，如今在同樣面積的情況下，儲存密度增加了一倍。不過后續(xù)隨著工藝的進(jìn)一步提升，相信DDR5也會像DDR4后期第二代21nm工藝一樣，將顆粒面積進(jìn)一步積縮小。

另外，新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V，相比目前DDR4的1.2V再次降低，不過目前很多高頻DDR4內(nèi)存電壓都在1.35V左右。

在釘科技看來，DDR5距離普及還是需要一段時間，一方面就是DDR5內(nèi)存上市后，需要Intel和AMD兩家推出更新的平臺來支持，玩家才可以真正的著手更新DDR5內(nèi)存；另一方面， DDR5目前仍沒有行業(yè)規(guī)范，目前三星、海力士、美光等巨頭都在努力研發(fā)DDR5產(chǎn)品，但是原計劃于2018年年底推出的DDR5標(biāo)準(zhǔn)一直沒有定下來，JEDEC組織也沒有更新標(biāo)準(zhǔn)出爐的預(yù)計時間。（釘科技原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載務(wù)必注明出處“釘科技”）