UFS 3.0閃存試產(chǎn)成功,更加適合筆記本?
原創(chuàng)
2019-01-25 16:16:44
來源:釘科技??
[釘科技報(bào)道] 近日,東芝儲(chǔ)存公司(Toshiba Memory Corporation)宣布,已經(jīng)試產(chǎn)成功全球第一個(gè)UFS3.0閃存。據(jù)了解,這次試產(chǎn)的容量版本有三個(gè),分別為128GB、256GB和512GB。
當(dāng)下智能手機(jī)主流旗艦機(jī)型應(yīng)用的是UFS 2.1規(guī)格的閃存芯片。去年年初,UFS 3.0規(guī)格正式推出,但芯片遲遲沒有實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),東芝則打破了僵局。
據(jù)了解,從規(guī)格上來看,三款閃存芯片基于東芝的96層BiCS4 3D TLC NAND存儲(chǔ)器,其理論接口速度為每通道每秒11.6Gbps,在雙通道下可以實(shí)現(xiàn)23.2Gbps帶寬。
東芝方面認(rèn)為這款新產(chǎn)品最終的順序讀寫速度將高達(dá)2900MB/s,512GB版本的產(chǎn)品,在順序讀取和寫入方面相比東芝的上一代產(chǎn)品性能提升約為70%。
首款采用UFS 3.0閃存的設(shè)備預(yù)計(jì)在今年內(nèi)上市。
東芝方面尚未透露其UFS 3.0芯片隨機(jī)讀寫速度,在智能手機(jī)上的應(yīng)用場景性能提升尚未明確,但是其2900MB/s的順序讀寫成績已經(jīng)可以媲美采用NVMe協(xié)議的固態(tài)硬盤,如果可以應(yīng)用到輕薄本上或可以進(jìn)一步減少筆記本的厚度和功耗。(釘科技原創(chuàng),轉(zhuǎn)載務(wù)必注明出處“釘科技”)
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