新能源汽車“卷”起“含SiC量”
碳化硅正在與更多新能源汽車、更多功能器件實現(xiàn)深度融合,而此前備受關(guān)注的成本問題也將在碳化硅晶圓從6英寸向8英寸的過渡中得到改善。
2024-04-29 10:09:43
來源:中國電子報、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 王信豪 許子皓??

2024北京國際汽車展覽會正在北京如火如荼地進行,可以確定的是,碳化硅正受到越來越多新能源汽車廠商的重視。據(jù)《中國電子報》記者不完全統(tǒng)計,此次車展中展出的配備碳化硅的車型超70款,除了上市不久的小米SU7、智己L6、華為智界S7及問界新M5,奇瑞星紀元ET、瑪莎拉蒂GranCabrio Fulgore等新車型也均配備碳化硅器件及系統(tǒng),“含SiC量”成為新能源汽車比拼的一大指標。

在新能源汽車性能穩(wěn)步提升的過程中,碳化硅正在與更多新能源汽車、更多功能器件實現(xiàn)深度融合,而此前備受關(guān)注的成本問題也將在碳化硅晶圓從6英寸向8英寸的過渡中得到改善。種種跡象表明,車規(guī)級碳化硅市場正在加速走向成熟。

碳化硅與電動汽車融合程度加深

碳化硅一直與新能源汽車“雙向奔赴”,二者聯(lián)系十分緊密。碳化硅器件在高溫、高壓、高頻等方面的優(yōu)異性能與消費者對新能源汽車快充和續(xù)航方面的需求相吻合,并逐漸成為新能源汽車逆變器及充電設(shè)備的首選材料,融合程度持續(xù)加深。

最明顯的跡象,莫過于搭載碳化硅器件的新車型越來越多。

2018年,特斯拉在Model 3上首次采用意法半導體的650V SiC MOSFET逆變器,相較Model X等采用IGBT的車型實現(xiàn)了5%~8%的效率提升,并在此后的幾款車型中均采用SiC技術(shù)。此舉既讓碳化硅成為業(yè)界焦點,也帶火了碳化硅襯底片供應(yīng)商Wolfspeed。

2020年,比亞迪·漢EV成為了國內(nèi)首款采用SiC的車型,同年比亞迪決定在2023年實現(xiàn)SiC對IGBT的全部替換。在新能源汽車蓬勃發(fā)展的同時,理想、蔚來等國產(chǎn)“造車新勢力”也不約而同選擇SiC。時至今日,新發(fā)布的車型幾乎與碳化硅形成了綁定。機構(gòu)數(shù)據(jù)測算,2023年共新增了27款碳化硅主驅(qū)車型,而隨著問界M9、理想MEGA、小米SU7等多個碳化硅車型陸續(xù)上市,預計2024年新推出的碳化硅主驅(qū)車型數(shù)量將進一步增加。   

展會現(xiàn)場展示的小米SU7

碳化硅在家用電動汽車之外的車規(guī)場景也有用武之地。

速豹針對大宗運輸場景,推出第三代智能電動重卡“黑金剛”,該車型搭載了最高900V的碳化硅平臺。據(jù)悉,該平臺最高電壓達到876V,實現(xiàn)了更快的充電速度。

更重要的是,車上的“含SiC量”也在增加。

當前碳化硅器件在新能源汽車中的主要應(yīng)用場景包括OBC(車載充電器)、DC/DC、主驅(qū)逆變器等?!爸黩?qū)逆變器更注重器件的導通電阻、短路耐受能力和高可靠性,而OBC和DC/DC更關(guān)注器件的高頻開關(guān)性能和效率,以便提高功率密度進行多合一的集成。此外,碳化硅器件還可能應(yīng)用于PTC、空調(diào)壓縮機等其他電子系統(tǒng)。”湖南三安半導體市場銷售負責人告訴《中國電子報》記者。    

1月18日,意法半導體宣布與致瞻科技合作。致瞻科技在新能源汽車400V、800V和1000V平臺上量產(chǎn)了基于碳化硅的空調(diào)壓縮機控制器。據(jù)了解,采用碳化硅的空調(diào)壓縮機可極大提高電動汽車的熱管理能效,提升空調(diào)壓縮機的NVH性能(噪音、振動和聲振粗糙度),在推動電動壓縮機系統(tǒng)小型化的同時進一步降低成本。

8英寸晶圓快速發(fā)展有望成為市場主流

2023年,特斯拉突然宣布減少75%的碳化硅用量,引發(fā)業(yè)界熱議。特斯拉對碳化硅態(tài)度的轉(zhuǎn)變也表明,在優(yōu)秀性能之外,成本也是車企不得不考慮的問題。

隨著市場需求的持續(xù)增長和成本壓力的加大,碳化硅廠商紛紛投資研發(fā)并逐步轉(zhuǎn)向8英寸產(chǎn)線,以期降低成本,提高市場競爭力。安森美碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩告訴記者,由于8英寸晶圓能夠顯著提升單位面積晶圓上的芯片數(shù)量(DPW),故而可以降低單片芯片的生產(chǎn)成本。

從6英寸向8英寸的過渡,不僅是晶圓尺寸的擴大,還涉及襯底生長、外延、器件加工、封裝測試等全供應(yīng)鏈的技術(shù)革新。從碳化硅晶圓的制備流程來看,8英寸晶圓的生產(chǎn)挑戰(zhàn)頗多,如提高襯底質(zhì)量與均勻性、優(yōu)化外延工藝以減少缺陷、改進器件結(jié)構(gòu)以適應(yīng)更大尺寸晶圓的加工條件、確保封裝和測試過程的穩(wěn)定性等。

為應(yīng)對8英寸碳化硅的發(fā)展需求,襯底供應(yīng)商、外延服務(wù)提供商、晶圓廠、封裝測試廠等加強協(xié)作,共同推進技術(shù)標準制定、設(shè)備改造升級、原材料供應(yīng)保障等工作,構(gòu)建更加完善的8英寸碳化硅生態(tài)系統(tǒng)。   

碳化硅器件的制備流程(圖片來源:安森美)

當前,碳化硅市場正處于從6英寸碳化硅晶圓向8英寸碳化硅晶圓過渡的加速期,供應(yīng)商們也在逐步減少6英寸晶圓產(chǎn)能的擴張,加碼8英寸晶圓生產(chǎn)。  

自2023年起,國際碳化硅供應(yīng)商先后布局8英寸工廠。2024年3月,Wolfspeed以其創(chuàng)始人命名的碳化硅工廠“John Palmour碳化硅制造中心”封頂。三菱電機將在日本熊本縣開建新的8英寸SiC工廠,并計劃在2026年投入運營。韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導體生產(chǎn)設(shè)施。

牛嘉浩認為,未來幾年內(nèi),隨著技術(shù)進步、產(chǎn)能提升和成本下降,8英寸碳化硅將成為市場主流。盡管全面替代6英寸的過程可能還需一段時間,但從長期來看,8英寸晶圓將有助于碳化硅器件在更多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化,推動碳化硅市場進入新的發(fā)展階段。

有機構(gòu)預測,自2022年至2030年,8英寸晶圓的市場滲透率將達到50%。

全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新滿足更高性能需求

除了成本問題,碳化硅器件設(shè)計制造的全產(chǎn)業(yè)鏈也需滿足電動汽車逐漸增長的性能需求。小米SU7在現(xiàn)場所展示的“彈射起步”需要性能更加強勁的電機,而消費者在快充和續(xù)航上的需求也推動800V甚至更高電壓環(huán)境下整車充電效率的提升。

以主驅(qū)逆變器為例,其性能與導通電阻有關(guān),更低的導通電阻需要碳化硅MOSFET的溝槽工藝繼續(xù)精進。當前常見的MOSFET結(jié)構(gòu)工藝有平面柵和溝槽柵兩種。Cree公司、意法半導體專注于平面柵,而羅姆和英飛凌更偏愛“挖槽”。廠商們在各自的技術(shù)路徑上不斷探索,以求更精準地調(diào)控導通電阻與器件耐壓性的平衡。

從實際使用需求倒推,電動汽車的性能升級不僅需要碳化硅器件在設(shè)計時不斷創(chuàng)新,也需要碳化硅材料在襯底乃至外延環(huán)節(jié)具備更好的質(zhì)量。    

三安半導體市場銷售負責人告訴記者:“碳化硅材料的生產(chǎn)過程復雜,技術(shù)門檻高,良率一直是個大問題,實際能夠供應(yīng)市場的高質(zhì)量碳化硅器件數(shù)量仍然有限?!贝送?,隨著新能源汽車行業(yè)對碳化硅需求的持續(xù)增長,市場對高性能、高可靠性碳化硅器件的需求將保持旺盛態(tài)勢?!彼ㄗh企業(yè)持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,提高產(chǎn)品良率,并合理規(guī)劃產(chǎn)能,以確保能夠滿足市場的長期需求。  

湖南三安半導體展出1200V 8mΩ SiC MOSFET 

在全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新的背景下,加強產(chǎn)業(yè)鏈整合也是穩(wěn)固碳化硅企業(yè)布局的關(guān)鍵一環(huán)。企業(yè)通過戰(zhàn)略合作、兼并重組等方式,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合和橫向拓展。這不僅可以降低生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品質(zhì)量,還能增強企業(yè)的市場話語權(quán),為企業(yè)的長遠發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。

據(jù)了解,英飛凌于2018年收購一家名為Siltectra的碳化硅冷切割技術(shù)科技公司,該技術(shù)可減少對硅錠原材料的浪費,從而提升8英寸的生產(chǎn)效率,此外英飛凌也與Wolfspeed合作,擴大并延長關(guān)于150mm碳化硅晶圓的長期供應(yīng)協(xié)議。安森美致力于優(yōu)化其從碳化硅襯底、外延、晶圓制造到成品封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈整合能力,確保穩(wěn)定的供應(yīng)鏈,并通過收購GT Advanced Technologies(GTAT)等戰(zhàn)略舉措,保障碳化硅產(chǎn)能。

日本行業(yè)調(diào)研機構(gòu)富士經(jīng)濟發(fā)布的《2024年版新一代功率器件&相關(guān)市場現(xiàn)狀和展望》報告測算,2030年SiC功率器件市場規(guī)模將達到近150億美元,占到整體功率器件市場約24%,2035年則有望超過200億美元,屆時SiC器件市場規(guī)模將占到整體功率器件的40%以上。    

“SiC是新材料、新技術(shù),所以從材料到供應(yīng)鏈,再到應(yīng)用的成熟都需要一個過程。”英飛凌市場部負責人告訴記者,“盡管我們不能排除短期內(nèi)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的可能性,但也會根據(jù)對市場發(fā)展情況的預測來調(diào)整產(chǎn)能爬坡和擴產(chǎn)階段的速度??傮w上,我們認為整個碳化硅市場的發(fā)展活力有增無減。”

由此可見,碳化硅市場需求還將持續(xù)擴大,各大企業(yè)還有很長的路要走,只有全方位提升,才能在全球競爭的潮流中屹立不倒。   

責任編輯:趙強

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